Samsung inicia a produção em massa de sua memória HBM2 de 4GB

Samsung inicia a produção em massa de sua memória HBM2 de 4GB

Depois de começar a fabricar em massa os primeiros wafers de processadores sob um processo de fabricação de 14nm FinFET, agora Samsung anunciou o início da fabricação em massa de um grande aliado deste nó, falamos de memória HBM2 com capacidade de 4 GB, o companheiro de silício ideal AMD Polaris sem esquecer os gráficos Nvidia pascal, que também acessará a memória ultrarrápida da Samsung.

Wafer HBM2

Esta nova memória HBM2 VRAM de 4 GB é fabricada usando um processo de fabricação de 20nm que promete alto desempenho, eficiência energética, tamanho contido e alta rentabilidade para a próxima geração de equipamentos e gráficos. Esses chips alcançam uma largura de banda de 256 Gbps (o dobro em relação ao HBM1) tudo isso sendo muito mais eficiente, pois oferece duas vezes a largura de banda por watt consumido.

Os 4 GB de memória HBM2 são criados pelo empilhamento de chips de memória de 8 gigabits verticalmente interconectado através de orifícios TSV e microbumps na própria matriz da CPU. Um único chip HBM2 de 8 Gb tem mais de 5000 furos TSV, 36 vezes mais do que podemos encontrar em um chip DDR4 de 8 Gb.